Еще не так давно выбор оперативной памяти не представлял практически ни какой сложности – достаточно было придти в магазин и приобрести модули известного производителя. Сегодня ситуация стала сложнее: выпускается много разновидностей модулей памяти,причем некоторые из них соответствуют даже еще не утвержденным стандартам. Этот материал призван рассказать об основных принципах выбора оперативной памяти и о наиболее частых проблемах, с которыми можно столкнуться при покупке модулей ОЗУ.

Оперативная память — это в отечественной научной терминологии «оперативное запоминающее устройство», или ОЗУ, а в западной — RAM, то есть Random Access Memory (память с произвольным доступом). ОЗУ представляет собой область временного хранения данных, при помощи которой обеспечивается функционирование программного обеспечения. Память состоит из ячеек, каждая из которых предназначена для хранения определенного объема данных, как правило, одного или четырех бит. Чипы памяти работают синхронно с системной шиной.

Компьютерная оперативная память является динамической (отсюда -DRAM или Dynamic RAM) — для хранения данных в такой памяти требуется постоянная подача электрического тока, при отсутствии которого ячейки опустошаются. Пример энергонезависимой, или постоянной, памяти (ПЗУ или ROM – Read Only Memory) памяти — флэш-память, вкоторой электричество используется лишь для записи и чтения, в то время как для самого хранения данных источник питания не нужен.

Ячейки памяти в микросхемах представляют собой конденсаторы, которые заряжаются в случае необходимости записи логической единицы и разряжаются при записи нуля. Опустошение памяти в случае отсутствия электроэнергии осуществляется именно за счет утечки токов из конденсаторов.

Принцип работы оперативной памяти можно представить следующим образом. Поскольку ячейки организованы в виде двумерной матрицы, для получения доступа к той или иной ячейке необходимо указать адрес соответствующей  строки и столбца. Для выбора адреса применяются импульсы RAS# (Row Access Strobe — стробирующий импульс доступа к строке) и CAS# (Column Access Strobe -стробирующий импульс доступа к столбцу), при которых уровень сигнала (точнее напряжение) изменяется с высокого на низкий. Эти импульсы синхронизированы с тактирующим импульсом, поэтому оперативная память также называется синхронной (SDRAM).

Сначала подается сигнал активации необходимой строки, после чего — импульс RAS#, а затем -CAS#. При операции записи происходит тоже самое, за исключением того, что в этом случае подается специальный импульс разрешения записи WE# ( Write Enable), который также должен измениться с высокого на низкий. После завершения работы со всеми ячейками активной строки выполняется команда Precharge, позволяющая перейти к следующей строке. Существуют и другие сигналы, но в контексте данной статьи их можно не упоминать, чтобы неоправданно не усложнять материал.

Важнейшая характеристика памяти, от которой зависит производительность, — это пропускная способность, которая выражается как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за каждый такт. В случае с памятью CDRAM мы имеем шину шириной 64 бита, или 8 байт. Следовательно, к примеру, пропускная способность памяти типа DDR333 составляет 333 МГц х8 Байт = 2,7 Гбайт в секунду, или 2700 Мбайт в секунду. Отсюда, кстати, и другое название памяти — РС2700, по ее пропускной способности в мегабайтах в секунду. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором теоретическая пропускная способность удваивается. То есть в случае с двумя модулями DDR333 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 5,4 Гбайт/с.

Тем не менее частота работы памяти и. следовательно, ее теоретическая пропускная способность не являются единственными параметрами, отвечающими за производительность. В действительности не менее важную роль играют и латентность памяти, то есть значения задержек между подачей команды и ее выполнением. Эти значения принято называть таймингами, которые выражаются в тактах, прошедших между поступлением какой — либо команды и ее реальным исполнением.

Четыре важнейших тайминга, которые всегда используются при описании тех или иных модулей памяти, -tRCD, tLC, tRP, tRAS (иногда дополнительно указывается и Command rate), причем записываются они обычно в этой же последовательности в виде 4-4-4-12- ( 1T) (цифры в данном случае произвольные).

Аббревиатура tRCD расшифровывается как time of RAS# to CAS# Delay — тайминг задержки между импульсами RAS# и CAS#. Сокращение tCL означает time of CAS# Latency — тайминг задержки относительно импульса CAS# после подачи команды записи или чтения. tRP — это time of RowPrecharge: тайминг между завершением обработки строки и перехода к новой строке. Значение tRAS (time of Active to Precharge Delay) считается одним из основных параметров, поскольку он описывает время задержки между активацией строки и подачей команды Precharge, которой заканчивается работа с этой строкой. Наконец, параметр Command rate означает задержку между командой выбора конкретного чипа на модуле и командой активации строки; обычно эта задержка составляет не более одного — двух тактов.

Общее правило гласит: чем меньше тайминги при одной тактовой частоте, тем быстрее память. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте. Все дело в том, что, как мы уже упоминали, оперативная память работает синхронно с системной шиной, поэтому память с частотой, не кратной частоте системной шины, и с пропускной способностью, превышающей пропускную способность системной шины, никаких преимуществ перед более дешевой не имеет.

В современных настольных компьютерах используется оперативная память трех типов — DDR, DDR2 и DDRЗ. Старые типы памяти вроде SDRAM и провалившейся на рынке Rambus (RDRAM) сегодня практически не применяются, за исключением устаревших машин и некоторых встраиваемых систем.

Память типа DDR (Double Data Rate – с удвоенной скоростью передачи данных) обеспечивает вдвое большую по сравнению со старой памятью SDR SDRAM за счет передачи двух бит за один такт каждым буфером ввода — вывода. ОЗУ типа DDR2 уже в четыре раза быстрее SDR — за один такт передается четыре бита, при этом реальная тактовая частота этих чипов вдвое меньше, чем у памяти типа DDR.

Возможно, Вам будет полезна эта информация:

1. Устройство компьютера – процессор
2. Устройство ПК — материнская плата
3. Устройство ПК — жесткий диск